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本文標題："大多數(shù)硅酸鹽熔體樣品分析圖像顯微鏡"

發(fā)布者：yiyi ------ 分類: 行業(yè)動態(tài) ------ 人瀏覽過-----時間：2018-4-7 20:38:58

大多數(shù)硅酸鹽熔體樣品分析圖像顯微鏡

對于自發(fā)成核系統(tǒng)，在結晶的起始階段必須提供很大的過冷度，結

晶過程中釋放出來的潛熱也必須由界面處導走，如果這部分熱量不

能全部導走，界面附近的溫度將會升高，AT減小，從而減小了結晶

驅動力。一般而言，晶體與玻璃體內能差別越大，則在不穩(wěn)定過冷

下，晶化傾向大，在冷卻時越容易析出晶體。

保護渣結晶的動力學條件

保護渣過冷液體的結晶過程可分為成核與晶核長大兩個階段，

成核速度和晶體長大速

速率和過冷度的關系度都是過冷度和黏度的函數(shù)∞1。溫度較

低時，晶核形成熱容易導走，因而隨著溫度降低，成核加速；但是

隨著溫度降低，黏度卻隨著迅速增大，在較低溫度下晶核形成減慢

，故在某一溫度下，成核達到一個極大值。晶體生長速度與成核速

度有類似的地方。由于晶體生長與晶核形成是兩個不同的過程，極

大值所在的溫度是不一樣的。對大多數(shù)硅酸鹽熔

體來講，晶粒形成的最大速度是在較低溫度區(qū)，而晶體生長的最大

速度在較高溫度區(qū)。

成核速度、晶體長大速度穢和熔體過冷度之間的

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