本文標(biāo)題："顯微區(qū)結(jié)構(gòu)的差別會(huì)不會(huì)引起再結(jié)晶核和形核率的變化"

顯微區(qū)結(jié)構(gòu)的差別會(huì)不會(huì)引起再結(jié)晶核和形核率的變化

    隨看晶粒尺寸減小，界面區(qū)的體積增加，而顯微鏡帶所占體
積則減小。當(dāng)變形速度增加和變形溫度降低時(shí)，一部分彌散相溶
入固溶體，變形孿晶的作用則增加。較高濃度的彌散質(zhì)點(diǎn)會(huì)增加
變形織構(gòu)主要組分的散布。
    局部顯微區(qū)結(jié)構(gòu)的差別也會(huì)引起再結(jié)晶核心位向和形核率的
差別。
    顯然，最初在原始晶界處、雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)上以及位向常不同于高
斯位向的牛曼帶內(nèi)開(kāi)始形核。在顯微帶內(nèi)，形核慢，在變形帶內(nèi)，
形核最慢(通過(guò)原位再結(jié)晶機(jī)制形核)，在后一種情況下，再結(jié)晶
織構(gòu)再現(xiàn)變形帶的織構(gòu)。
    與此對(duì)比，在顯微帶中，亞晶的生長(zhǎng)與強(qiáng)烈的位向差有關(guān)。
更重要的是，第二相質(zhì)點(diǎn)穩(wěn)定基體只到一定溫度，高于這個(gè)溫度，
彌散質(zhì)點(diǎn)開(kāi)始溶解，以致發(fā)生二次再結(jié)晶。析出物的濃度和彌散
度應(yīng)當(dāng)足夠大，以抑制大量晶粒過(guò)旱長(zhǎng)大，但是也不要太大，以
致阻礙高溫加熱時(shí)的長(zhǎng)大，并造成基體的“過(guò)度穩(wěn)定化”。彌散
質(zhì)點(diǎn)的溶解速度也很重要，為防止大量晶粒長(zhǎng)大，溶解速度應(yīng)緩
慢。  
    因此，為產(chǎn)生高斯取向織構(gòu)的另一重要條件是適當(dāng)?shù)剡x擇合
金成分和處理方式，以保證組織的最佳穩(wěn)定化。
    為制造變壓器鋼，最廣泛地應(yīng)用兩種工藝——氮化和硫化。
在前一工藝中，基體被鋁、硅、錳和其它元素的氮化物所穩(wěn)定，
其中，氮化鋁最重要，因?yàn)樗罘€(wěn)定且不易聚集。在硫化工藝
中，基體被錳和其它元素的硫化物所穩(wěn)定。

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