本文標(biāo)題："電子顯微鏡觀察晶粒內(nèi)部產(chǎn)生輪廓清晰的亞晶結(jié)構(gòu)"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類: 行業(yè)動態(tài) ------
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電子顯微鏡觀察晶粒內(nèi)部產(chǎn)生輪廓清晰的亞晶結(jié)構(gòu)
再結(jié)晶晶核起源
顯微檢測表明再結(jié)晶成核的有利位置在晶界、相
界、孿晶、變形帶和材料的表面。這些位置常為嚴(yán)
重扭曲或高密度位錯的區(qū)域，而且同樣也確實是位向顯著變化的鄰
近位置。
晶核實際上是多邊化形成
的一些亞晶粒。 他以此解釋這個事實： 在最嚴(yán)重變形的區(qū)域產(chǎn)生晶
核，但是，相對來說，其本身并無畸變，即它們具有低的位錯密度。
用這個典型模式提出了一個定量的理論。
電子顯微鏡的詳細(xì)觀察已經(jīng)確認(rèn)，亞晶粒的形成與接著用蕞結(jié)晶代替
變形的晶粒是密切相關(guān)的。
薄膜透射電鏡的出現(xiàn)使人們能夠詳細(xì)地研究再結(jié)晶前和再結(jié)晶過
程中的位錯重排及亞晶界，從而證實和發(fā)展了再結(jié)晶晶核起源的早期
理論。
多晶體的銅、銀、鎳薄片經(jīng)嚴(yán)
重變形后的再結(jié)晶、其晶粒內(nèi)部產(chǎn)生輪廓清晰的亞晶結(jié)構(gòu)，亞晶粒的
晶界由復(fù)雜的位錯陣列組成。典型情況下，經(jīng)軋制壓縮90％后，穿越
晶胞壁的位向差大約是10°。 在電子顯微鏡的標(biāo)盤上，再結(jié)晶是很不
均勻的。然而，大量的觀察表朋，該過程開始于遷移所產(chǎn)生的晶界的凸
起部分，從而形成再結(jié)晶晶核，但是，為了長大，在亞晶粒和其它鄰
近變形的材料之間必須有一個基本的位向差。由于晶粒邊界具有這樣
大的位向差，所以，只有晶界處更大的亞晶粒才能夠穿過晶界長大到相
鄰的晶粒中去。與此類似，如果不太明確的狀態(tài)產(chǎn)生在扭
折帶或其它類型的變形帶上，那么在這些區(qū)域中形成的亞晶粒是后繼。
長大的有利位向
最近對鋁，的磷究確認(rèn)，亞晶粒為再結(jié)晶晶粒提供晶核。成為
晶核的那些亞晶粒與其鄰近晶界有最大的位向差。這一研究表明，顯
然發(fā)生晶胞壁聚集而沒肴晶胞壁的大范圍遷移。在像鋁這樣堆垛層錯
能高的金屬中，亞晶界的調(diào)整是更有可能的，而銅、銀中的情況則格
反，成核之前幾乎沒有位錯重排．
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